RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3611
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor KLCC28F-A8KI5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link