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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3058
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
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Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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