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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de 44% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
45
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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