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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
36
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2871
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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