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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3687
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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