RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3645
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link