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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
68
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
68
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1904
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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