RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3252
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link