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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3825
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
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