RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2652
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link