RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3405
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link