RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3274
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link