RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2836
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link