RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
55
Autour de 55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
55
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2665
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link