Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Note globale
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale
star star star star star
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    11.1 left arrow 10.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 25
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.1 left arrow 16.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    10.1 left arrow 11.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2764 left arrow 2164
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons