RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2458
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link