RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3114
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link