RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2994
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link