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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2690
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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