RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2978
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link