RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
72
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
72
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1951
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link