RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3860
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link