RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3859
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link