RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3956
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Mushkin 994083 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link