RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3963
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link