RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
40
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2362
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link