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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2691
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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