RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link