RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2472
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link