RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2564
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link