RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2616
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link