RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2517
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link