RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
40
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2362
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link