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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
35
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2903
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
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AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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