RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1907
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link