RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
38
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2400
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link