RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
36
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2998
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link