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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3254
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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