RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3164
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link