RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
42
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2181
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link