RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de 52% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
52
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2893
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link