RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2611
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link