RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1732
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link