RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3961
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link