RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3223
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT6GX3M3A1866C9 2GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link