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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
21.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
4042
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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