RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3936
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link