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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
65
Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
65
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
1921
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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