RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
43
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
25
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3680
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link