Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Note globale
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    43 left arrow 89
    Autour de 52% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    43 left arrow 89
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.9 left arrow 13.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    9.6 left arrow 6.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2506 left arrow 1518
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons